一种LED外延片、外延生长方法及LED芯片
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种LED外延片、外延生长方法及LED芯片，LED外延片包括缓冲层，缓冲层由Al/AlN/NH3超晶格层和沉积于Al/AlN/NH3超晶格层上的Al/AlN/H2超晶格层组成，其中，Al/AlN/NH3超晶格层是由Al子层、AlN子层、NH3子层循环交替生长而成的周期性结构，Al/AlN/H2超晶格层是由Al子层、AlN子层、H2子层循环交替生长而成的周期性结构。由于Al/AlN/NH3超晶格层以三维模式生长，Al/AlN/H2超晶格层以二维模式生长，通过覆盖上述已生长的三维状Al/AlN超晶格层，可以获得比较平坦的外延层，解决了现有紫外发光二极管中外延生长的晶体质量较差的问题。
基本信息
专利标题 ：
一种LED外延片、外延生长方法及LED芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114551666A
申请号 ：
CN202210098692.2
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2022-01-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
胡加辉刘春杨金从龙顾伟
申请人 ：
江西兆驰半导体有限公司
申请人地址 ：
江西省南昌市南昌高新技术产业开发区天祥北大道1717号
代理机构 ：
南昌旭瑞知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘红伟
优先权 ：
CN202210098692.2
主分类号 ：
H01L33/06
IPC分类号 ：
H01L33/06 C30B25/18 C30B29/02 C30B29/40 C30B33/02 H01L33/00
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/06
申请日 : 20220127
申请日 : 20220127
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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