外延生长方法
专利权的终止
摘要
本发明提供一种用于形成高质量外延生长半导体晶片的外延生长方法。该方法包括：在单晶晶片上形成具有纳米尺寸的点的掩模层；通过蚀刻该掩模层和该晶片的表面在该单晶晶片的表面上形成具有纳米尺寸的孔的多孔层；利用外延生长工艺在该多孔层上形成外延材料层；以及退火该外延材料层。
基本信息
专利标题 ：
外延生长方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1812053A
申请号 ：
CN200510131615.9
公开（公告）日 ：
2006-08-02
申请日 ：
2005-12-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
朴性秀
申请人 ：
三星康宁株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
李晓舒
优先权 ：
CN200510131615.9
主分类号 ：
H01L21/20
IPC分类号 ：
H01L21/20 C30B25/02
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/20
半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长
法律状态
2017-02-01 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101700607678
IPC(主分类) : H01L 21/20
专利号 : ZL2005101316159
申请日 : 20051215
授权公告日 : 20080910
终止日期 : 20151215
号牌文件序号 : 101700607678
IPC(主分类) : H01L 21/20
专利号 : ZL2005101316159
申请日 : 20051215
授权公告日 : 20080910
终止日期 : 20151215
2011-01-05 ：
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101059894785
IPC(主分类) : H01L 21/20
专利号 : ZL2005101316159
变更事项 : 专利权人
变更前 : 三星康宁精密琉璃株式会社
变更后 : 三星康宁精密素材株式会社
变更事项 : 地址
变更前 : 韩国庆尚北道龟尾市
变更后 : 韩国庆尚北道
号牌文件序号 : 101059894785
IPC(主分类) : H01L 21/20
专利号 : ZL2005101316159
变更事项 : 专利权人
变更前 : 三星康宁精密琉璃株式会社
变更后 : 三星康宁精密素材株式会社
变更事项 : 地址
变更前 : 韩国庆尚北道龟尾市
变更后 : 韩国庆尚北道
2008-09-10 ：
授权
2006-09-27 ：
实质审查的生效
2006-08-02 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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