提高选择性外延生长的生长速率的方法
实质审查的生效
摘要
本公开内容的实施方式一般涉及用于在增大的压力及降低的温度下在半导体装置上形成掺杂硅的外延层的方法。在一个实施方式中，该方法包括将设置在处理腔室内的基板加热至约550℃至约800℃的温度，将包含三氯硅烷(TCS)的硅源、磷源及包含卤素的气体引入处理腔室，且在基板上沉积包含磷的含硅外延层，该含硅外延层具有每立方厘米约1x1021个原子或以上的磷浓度，其中该含硅外延层在约150托或以上的腔室压力下沉积。
基本信息
专利标题 ：
提高选择性外延生长的生长速率的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114551229A
申请号 ：
CN202210091935.X
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2016-03-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
阿布舍克·杜贝李学斌黄奕樵仲华舒伯特·S·楚
申请人 ：
应用材料公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
北京律诚同业知识产权代理有限公司
代理人 ：
徐金国
优先权 ：
CN202210091935.X
主分类号 ：
H01L21/205
IPC分类号 ：
H01L21/205
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/20
半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长
H01L21/205
应用气态化合物的还原或分解产生固态凝结物的，即化学沉积
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/205
申请日 : 20160316
申请日 : 20160316
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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