活性碳的选择性外延工艺
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
半导体器件包括成形在碳衬底(104)上的栅极(114)、通过掺杂邻近所述栅极的有源区(111)的第一部分和第二部分而形成的源极区(140)和漏极区(140)、以及形成在部分源极区(140)中的第一凹槽(162)和在部分漏极区(140)中的第二凹槽(160)。源极区和漏极区(140)中的掺杂剂通过加热有源区被激活，并且在激活所述源极区和所述漏极区(140)中的掺杂剂之后将半导体材料(165)沉积到所述第一凹槽(162)和所述第二凹槽(160)中。
基本信息
专利标题 ：
活性碳的选择性外延工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101171681A
申请号 ：
CN200680014988.0
公开（公告）日 ：
2008-04-30
申请日 ：
2006-03-01
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
P·R·丘德博莱姆S·切克莱奥塞
申请人 ：
德克萨斯仪器股份有限公司
申请人地址 ：
美国德克萨斯州
代理机构 ：
北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人 ：
赵蓉民
优先权 ：
CN200680014988.0
主分类号 ：
H01L21/8238
IPC分类号 ：
H01L21/8238
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
H01L21/8238
互补场效应晶体管，例如CMOS
法律状态
2009-12-30 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2008-06-25 ：
实质审查的生效
2008-04-30 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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