液相外延等电子掺杂工艺
专利权的视为放弃
摘要
一种液相外延等电子掺杂工艺。其特征是在电子器件制造过程中先用生长源在一定温度下，在衬底上生长一层等电子掺杂层，然后再进行器件制造的外延生长工艺。该工艺操作方便；可使报废的高位错密度的砷化镓衬底得到重新应用；使制造的电子器件性能稳定，成品率高，成本低。
基本信息
专利标题 ：
液相外延等电子掺杂工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1052005A
申请号 ：
CN90109987.2
公开（公告）日 ：
1991-06-05
申请日 ：
1990-12-18
授权号 ：
CN1017486B
授权日 ：
1992-07-15
发明人 ：
刘文杰陈诺夫
申请人 ：
河北工学院
申请人地址 ：
300130天津市红桥区丁字沽一号路
代理机构 ：
天津市机械工业管理局专利事务所
代理人 ：
李国茹
优先权 ：
CN90109987.2
主分类号 ：
H01L21/208
IPC分类号 ：
H01L21/208 C30B19/02 H01L21/22
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/20
半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长
H01L21/208
应用液体沉积的
法律状态
1993-10-13 ：
专利权的视为放弃
1992-07-15 ：
审定
1991-06-05 ：
公开
1991-05-08 ：
实质审查请求已生效的专利申请
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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