电子器件及其形成工艺
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
一种电子器件包括衬底和覆盖于该衬底之上、并限定了以一矢量组方式排列的一个开口阵列的结构。在沿着该矢量组的第一矢量的开口之间的第一位置上，该第一位置上的第一高度基本上彼此相等。该电子器件也包括线形的有机层，该有机层至少部分地位于沿着第一矢量的开口内、并且覆盖在处于沿着第一矢量的开口之间位置上的结构之上。
基本信息
专利标题 ：
电子器件及其形成工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101091265A
申请号 ：
CN200580045259.7
公开（公告）日 ：
2007-12-19
申请日 ：
2005-12-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
C·D·麦克费森D·D·沃克M·斯坦纳
申请人 ：
E.I.内穆尔杜邦公司
申请人地址 ：
美国特拉华州
代理机构 ：
上海专利商标事务所有限公司
代理人 ：
朱黎明
优先权 ：
CN200580045259.7
主分类号 ：
H01L51/00
IPC分类号 ：
H01L51/00 H05B33/02 H05B33/12
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法律状态
2011-05-04 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
号牌文件类型代码 : 1603
号牌文件序号 : 101083897693
IPC(主分类) : H01L 51/00
专利申请号 : 2005800452597
公开日 : 20071219
号牌文件序号 : 101083897693
IPC(主分类) : H01L 51/00
专利申请号 : 2005800452597
公开日 : 20071219
2008-02-27 ：
实质审查的生效
2007-12-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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