在基片上形成的电子器件及其制造方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明涉及在由已知半导体电子器件中使用的材料组成的基片上形成的包括氧化钼的半导体电子器件。本发明还涉及用于在由已在通常的电子和光子器件中使用的材料组成的基片上制造所述电子器件的新方法。适当的基片由诸如以下的材料组成：诸如硅和锗之类的单质半导体、诸如砷化镓和磷化镓之类的III－V化合物半导体、诸如氧化锌之类的II－IV化合物半导体、IV化合物半导体、有机半导体、金属晶体以及它们的衍生物或玻璃。
基本信息
专利标题 ：
在基片上形成的电子器件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1828930A
申请号 ：
CN200610004972.3
公开（公告）日 ：
2006-09-06
申请日 ：
2006-01-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
河东田隆
申请人 ：
河东田隆
申请人地址 ：
日本高知县
代理机构 ：
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
杨林森
优先权 ：
CN200610004972.3
主分类号 ：
H01L29/12
IPC分类号 ：
H01L29/12
法律状态
2010-02-24 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2008-02-13 ：
实质审查的生效
2006-09-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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