处理液、其制造方法、图案形成方法及电子器件的制造方法

授权

摘要

本发明的目的为提供一种能够抑制缺陷的产生且能够制造微细的抗蚀剂图案或微细的半导体元件的半导体制造用处理液。本发明的实施方式的半导体制造用处理液含有1种或2种以上的满足下述条件(a)的化合物(A)、1种或2种以上的满足下述条件(b)的化合物(B)、1种或2种以上的选自Al化合物及NOx化合物的化合物(C)。在该处理液中，化合物(A)的含有率的合计为70.0～99.9999999质量％，化合物(B)的含有率的合计为10^‑10～0.1质量％，下述式I所表示的化合物(B)与化合物(C)的比率P为10³～10^‑6。条件(a)：是选自酰胺化合物、酰亚胺化合物及亚砜化合物，且上述处理液中的含有率为5.0～99.9999999质量％的化合物。条件(b)：是选自碳原子数6以上的酰胺化合物、酰亚胺化合物及亚砜化合物，且上述处理液中的含有率为10^‑11～0.1质量％的化合物，(式I)P＝[化合物(C

基本信息

专利标题：

处理液、其制造方法、图案形成方法及电子器件的制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN108885413A

申请号：

CN201780021942.X

公开（公告）日：

2018-11-23

申请日：

2017-04-07

授权号：

CN108885413B

授权日：

2022-06-14

发明人：

上村哲也

申请人：

富士胶片株式会社

申请人地址：

日本国东京都

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

曹阳

优先权：

CN201780021942.X

主分类号：

G03F7/42

IPC分类号：

G03F7/42 G03F7/16 G03F7/32 H01L21/027

IPC结构图谱

G部——物理

G03

摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术

G03F

图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备

G03F7/00

图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备

G03F7/26

感光材料的处理及其设备

G03F7/42

剥离或剥离剂

法律状态

2022-06-14 ：

授权

2018-12-18 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : G03F 7/42
申请日 : 20170407

2018-11-23 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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