图案形成方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明公开了一种图案形成方法，首先，在衬底101上形成抗蚀膜102。之后在所形成的抗蚀膜102上形成溶剂是水溶性的第一阻挡膜103。接着，在第一阻挡膜103上形成溶剂是乙醇的第二阻挡膜104。接着，在将液体105供到第二阻挡膜104上的状态下透过第一阻挡膜103和第二阻挡膜104用曝光光106有选择地去照射抗蚀膜102而进行图案曝光。接着，除去第一阻挡膜103和第二阻挡膜104后，再对已被图案曝光了的抗蚀膜102进行显像处理，而从抗蚀膜102形成抗蚀图案102a。因此，在湿浸式光刻中，能够提高除去阻挡膜时的溶解性(除去容易性)，形成具有良好的形状的微细图案。
基本信息
专利标题 ：
图案形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1815372A
申请号 ：
CN200610051390.0
公开（公告）日 ：
2006-08-09
申请日 ：
2006-01-04
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
远藤政孝笹子胜
申请人 ：
松下电器产业株式会社
申请人地址 ：
日本大阪府
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
汪惠民
优先权 ：
CN200610051390.0
主分类号 ：
G03F7/20
IPC分类号 ：
G03F7/20 H01L21/027
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F7/00
图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备
G03F7/20
曝光及其设备
法律状态
2008-09-24 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2006-08-09 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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