微细图案形成方法
专利权的终止
摘要
本发明提供一种能够进行微细加工的微细图案形成方法，其特征在于，具有：在图案化的掩模层(76)的侧壁上堆积等离子体反应生成物，使掩模层(76)的图案宽度变宽的第一工序；以图案宽度变宽的掩模层(76)作为掩模，对第一被蚀刻层(74)进行蚀刻的第二工序；在进行了蚀刻的第一被蚀刻层(74)上产生的间隙(80)中埋入掩模材料(81)的第三工序；保留埋入间隙(80)中的掩模材料，对第一被蚀刻层(74)进行蚀刻的第四工序；和以保留的掩模材料(81)作为掩模，对第二被蚀刻层(72)进行蚀刻的第五工序。
基本信息
专利标题 ：
微细图案形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1832105A
申请号 ：
CN200610057725.X
公开（公告）日 ：
2006-09-13
申请日 ：
2006-02-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
栉引理人清水昭贵
申请人 ：
东京毅力科创株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人 ：
龙淳
优先权 ：
CN200610057725.X
主分类号 ：
H01L21/00
IPC分类号 ：
H01L21/00
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
法律状态
2016-04-06 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101654740467
IPC(主分类) : H01L 21/00
专利号 : ZL200610057725X
申请日 : 20060223
授权公告日 : 20081015
终止日期 : 20150223
号牌文件序号 : 101654740467
IPC(主分类) : H01L 21/00
专利号 : ZL200610057725X
申请日 : 20060223
授权公告日 : 20081015
终止日期 : 20150223
2008-10-15 ：
授权
2006-11-08 ：
实质审查的生效
2006-09-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN100426453C.PDF
PDF下载
2、
CN1832105A.PDF
PDF下载
