形成图案的方法
公开
摘要
本申请涉及半导体制造领域，具体涉及一种形成图案的方法，包括以下步骤：在半导体衬底上依次形成目标层、转印层以及第一引导图案；使用定向自组装工艺在所述第一引导图案上形成沿水平方向或者垂直方向排布的第一刻蚀图案，以所述第一刻蚀图案为掩模，刻蚀转印层，以形成第一转印图案；形成与所述第一转印图案垂直相交的第二转印图案；以所述第一转印图案、第二转印图案为掩模，刻蚀目标层以形成目标图案。本申请实施例将DSA、PTD以及NTD技术进行结合应用到图像形成过程中，使得形成的图像尺寸更小，且减少了工艺步骤，提高了工艺效率。
基本信息
专利标题 ：
形成图案的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114613671A
申请号 ：
CN202011424629.0
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2020-12-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
田范焕梁时元贺晓彬刘金彪杨涛李亭亭
申请人 ：
中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请人地址 ：
北京市朝阳区北土城西路3号
代理机构 ：
北京辰权知识产权代理有限公司
代理人 ：
金铭
优先权 ：
CN202011424629.0
主分类号 ：
H01L21/311
IPC分类号 ：
H01L21/311 H01L27/108 H01L27/11 H01L27/115 H01L27/22 H01L27/24
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/31
在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/3105
后处理
H01L21/311
绝缘层的刻蚀
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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