光刻用膜形成组合物、抗蚀图案形成方法、电路图案形成方法及...
公开
摘要
本发明的课题在于，提供作为光刻用膜形成材料或光学元件形成用材料特别有用的(多)胺化合物和将该化合物作为单体而得到的树脂、组合物、抗蚀图案形成方法、绝缘膜的形成方法、电路图案形成方法、或者上述化合物或树脂的纯化方法。前述课题通过光刻用膜形成组合物等实现，该光刻用膜形成组合物含有下述式(0)所示的(多)胺化合物和/或具有源自前述(多)胺化合物的结构单元的多胺树脂。
基本信息
专利标题 ：
光刻用膜形成组合物、抗蚀图案形成方法、电路图案形成方法及纯化方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114303096A
申请号 ：
CN202080059349.6
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2020-08-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
越后雅敏牧野岛高史
申请人 ：
三菱瓦斯化学株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘新宇
优先权 ：
CN202080059349.6
主分类号 ：
G03F7/004
IPC分类号 ：
G03F7/004 G03F7/09
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F7/00
图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备
G03F7/004
感光材料
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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