导电性图案、电子器件的制造方法及电子器件
授权
摘要
本发明的制造方法包括将选自由用以下的[式1]表示的分子及用以下的[式2]表示的分子构成的组中的至少一种分子溶解了的溶液(12)配置于导电膜(13)上，由此在导电膜(13)的一部分形成所述至少一种分子的分子膜(16)的工序。[式1]CF3(CF2)n(CH2)mSH[n是处于3～7这一范围的自然数，m是处于8～18这一范围的自然数]。[式2]CF3(CF2)p(CH2)qSS(CH2) q′UB> p′CF3 [p及p’分别是独立地处于3～7这一范围的自然数，q及q’分别是独立地处于8～18这一范围的自然数]。接着，使导电膜(13)与导电膜(13)的蚀刻液接触，由此除去未形成分子膜(16)的部分的导电膜(13)。于是，形成导电性图案(17)。
基本信息
专利标题 ：
导电性图案、电子器件的制造方法及电子器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1957449A
申请号 ：
CN200580016541.2
公开（公告）日 ：
2007-05-02
申请日 ：
2005-10-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
中川彻
申请人 ：
松下电器产业株式会社
申请人地址 ：
日本大阪府
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
李贵亮
优先权 ：
CN200580016541.2
主分类号 ：
H01L21/306
IPC分类号 ：
H01L21/306 H01L29/786 H01L21/3205 C23F1/02 H01L21/336 H01L21/28
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306
化学或电处理，例如电解腐蚀
法律状态
2008-10-08 ：
授权
2007-11-07 ：
实质审查的生效
2007-05-02 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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