形成光敏性聚酰亚胺图案的方法和具有该图案的电子器件

专利权的终止

摘要

本发明提供了一种在金属导体32上形成光敏性聚酰亚胺图案38的方法，包括以这个顺序执行下列(A)到(E)的步骤：(A)通过在金属导体32上涂敷酯键型光敏性聚酰亚胺前体组合物形成酯键型光敏性聚酰亚胺前体层33的步骤；(B)通过在前体层33上涂敷离子键型光敏性聚酰亚胺前体组合物，形成离子键型光敏性聚酰亚胺前体层34直到前体层34的厚度达到所需厚度的步骤；(C)通过掩模35曝光以转移作为潜像36的掩模图案到前体层33和34上的步骤；(D)显影步骤；和(E)通过固化已显影聚体层33和34，形成聚酰亚胺图案38的步骤。

基本信息

专利标题：

形成光敏性聚酰亚胺图案的方法和具有该图案的电子器件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1755522A

申请号：

CN200510116592.4

公开（公告）日：

2006-04-05

申请日：

2005-09-28

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

上岛聪史

申请人：

TDK株式会社

申请人地址：

日本东京都

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

刘维升

优先权：

CN200510116592.4

主分类号：

G03F7/00

IPC分类号：

G03F7/00 G03F7/037 C09D179/08 H01F10/26 H01F41/14