制造显示设备的方法和形成图案的方法
专利权的终止
摘要
提供了一种制造显示设备的方法，其中以岛的方式形成包括信号端区域的a－Si半导体层，并将总的寄生电容最小化，同时限制了光刻工艺步骤数的增加。使用抗蚀剂图案的薄的部分形成信号线、信号引线、信号端、部分漏电极和部分源电极。使用抗蚀剂图案的厚的部分形成每个都从漏电极与源电极彼此相对的位置到超过栅电极宽度的位置的小的区域。具有这些部分的抗蚀剂图案用作蚀刻金属层和接触层的掩模，并将其回流而形成回流的抗蚀剂掩模。该回流的抗蚀剂掩模用于形成半导体岛。
基本信息
专利标题 ：
制造显示设备的方法和形成图案的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1783458A
申请号 ：
CN200510127223.5
公开（公告）日 ：
2006-06-07
申请日 ：
2005-11-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
高桥美朝村山容一
申请人 ：
NEC液晶技术株式会社
申请人地址 ：
日本神奈川县
代理机构 ：
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
穆德骏
优先权 ：
CN200510127223.5
主分类号 ：
H01L21/84
IPC分类号 ：
H01L21/84 G02F1/1368 G03F7/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/84
衬底不是半导体的，例如绝缘体
法律状态
2013-01-23 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101384118078
IPC(主分类) : H01L 21/84
专利号 : ZL2005101272235
申请日 : 20051125
授权公告日 : 20090520
终止日期 : 20111125
号牌文件序号 : 101384118078
IPC(主分类) : H01L 21/84
专利号 : ZL2005101272235
申请日 : 20051125
授权公告日 : 20090520
终止日期 : 20111125
2009-05-20 ：
授权
2006-08-02 ：
实质审查的生效
2006-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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