基片上形成的金属氧化物及其制造方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明涉及由在基片上生长的金属氧化物组成的新的半导体膜及其制造方法。该金属氧化物由氧化钼组成，所述氧化钼非常适用于制造具有高耐电压的电子器件以及光子和电子恶劣环境器件。本发明的重要方面在于，在由已在普通电子和光子器件中使用的材料制成的基片上形成氧化钼膜。最流行的材料是硅。本发明的另一个重要方面是用于在基片上形成氧化钼膜的新方法。
基本信息
专利标题 ：
基片上形成的金属氧化物及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1779912A
申请号 ：
CN200510116127.0
公开（公告）日 ：
2006-05-31
申请日 ：
2005-10-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
河东田隆
申请人 ：
河东田隆
申请人地址 ：
日本高知县
代理机构 ：
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
杨林森
优先权 ：
CN200510116127.0
主分类号 ：
H01L21/205
IPC分类号 ：
H01L21/205 C23C16/44
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/20
半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长
H01L21/205
应用气态化合物的还原或分解产生固态凝结物的，即化学沉积
法律状态
2010-02-10 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-10-31 ：
实质审查的生效
2006-05-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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