互补金属氧化物半导体器件及其制造方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
在一种互补金属氧化物半导体(CMOS)器件中，一种硅绝缘体(SOI)衬底结构包括支撑衬底、p－型半导体衬底、以及夹在所述支撑衬底和p－型半导体衬底之间的绝缘层。在所述p－型半导体衬底中形成到达绝缘层的元件隔离层，从而由绝缘层和元件隔离层限定并包围n型阱区域。在n型阱区域中形成p型MOS晶体管，并且在所述第一导电型半导体衬底中形成n型MOS晶体管，以便与n型阱区域相邻。
基本信息
专利标题 ：
互补金属氧化物半导体器件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1832180A
申请号 ：
CN200610051451.3
公开（公告）日 ：
2006-09-13
申请日 ：
2006-02-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
名仓延宏
申请人 ：
恩益禧电子股份有限公司
申请人地址 ：
日本神奈川县
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
朱进桂
优先权 ：
CN200610051451.3
主分类号 ：
H01L27/12
IPC分类号 ：
H01L27/12 H01L21/84
法律状态
2011-01-19 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
号牌文件类型代码 : 1603
号牌文件序号 : 101063075767
IPC(主分类) : H01L 27/12
专利申请号 : 2006100514513
公开日 : 20060913
号牌文件序号 : 101063075767
IPC(主分类) : H01L 27/12
专利申请号 : 2006100514513
公开日 : 20060913
2006-11-08 ：
实质审查的生效
2006-09-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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