金属氧化物半导体器件的制造方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种金属氧化物半导体器件的制造方法，先对第二介质层进行第一刻蚀处理，以形成第一开口，并通过对第一开口的内表面进行电荷消除处理，可以消除第一刻蚀处理的过程中聚集在所述第一开口的内表面的正电荷。由于所述电荷消除处理能够消除第一开口的内表面聚集的正电荷，故在对所述第一开口暴露出的阻挡层进行第二刻蚀处理的过程中所产生的电荷不会与第一刻蚀处理过程中产生的电荷积累在一起，由此能够避免产生较大的电势差及电流，从而避免出现电弧放电的现象。
基本信息
专利标题 ：
金属氧化物半导体器件的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114267586A
申请号 ：
CN202111438740.X
公开（公告）日 ：
2022-04-01
申请日 ：
2021-11-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈宏
申请人 ：
上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
代理机构 ：
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
周耀君
优先权 ：
CN202111438740.X
主分类号 ：
H01L21/311
IPC分类号 ：
H01L21/311 H01L21/3065
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/31
在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/3105
后处理
H01L21/311
绝缘层的刻蚀
法律状态
2022-04-19 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/311
申请日 : 20211126
申请日 : 20211126
2022-04-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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