高压金属氧化物半导体元件及其制造方法
授权
摘要
一种高压金属氧化物半导体元件，包括衬底、N型外延层、隔离结构、栅介电层、栅极、N型漏极区、P型井区、N型源极区、第一N型井区及埋入式N型掺杂区。第一N型井区设置于隔离结构下方及栅极一侧的N型外延层中，且第一N型井区与N型漏极区有重叠区域。埋入式N型掺杂区设置于N型外延层下方的衬底中且与第一N型井区相连接。
基本信息
专利标题 ：
高压金属氧化物半导体元件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1956218A
申请号 ：
CN200510118496.3
公开（公告）日 ：
2007-05-02
申请日 ：
2005-10-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李治华陈铭逸
申请人 ：
联华电子股份有限公司
申请人地址 ：
台湾省新竹科学工业园区
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200510118496.3
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L21/336
法律状态
2009-01-21 ：
授权
2007-06-27 ：
实质审查的生效
2007-05-02 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
