超高压金属氧化物半导体晶体管元件及其制造方法
专利权的终止
摘要
本发明揭示一种超高压MOS晶体管元件，其包括一延伸到第一介电层上的栅极，第一介电层具有一空洞位于栅极的边缘下方，以及一第二介电层，覆盖栅极及第一介电层，并保留空洞。该第一介电层可为一场氧化层或浅沟槽隔离区域的形式，且可进一步具有一增厚介电层位于场氧化层或浅沟槽隔离区域之上。增厚介电层可另为低介电系数的材料，或浅沟槽隔离区域可另填充多孔性氧化物材料，则可不具有空洞。本发明的超高压MOS晶体管元件的栅极边缘具有相对较低的垂直电场。
基本信息
专利标题 ：
超高压金属氧化物半导体晶体管元件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1988175A
申请号 ：
CN200510022959.6
公开（公告）日 ：
2007-06-27
申请日 ：
2005-12-19
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
高境鸿
申请人 ：
联华电子股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹科学工业园区
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200510022959.6
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L27/04 H01L21/336 H01L21/822
法律状态
2012-02-29 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101192110029
IPC(主分类) : H01L 29/78
专利号 : ZL2005100229596
申请日 : 20051219
授权公告日 : 20090311
终止日期 : 20101219
号牌文件序号 : 101192110029
IPC(主分类) : H01L 29/78
专利号 : ZL2005100229596
申请日 : 20051219
授权公告日 : 20090311
终止日期 : 20101219
2009-03-11 ：
授权
2007-08-22 ：
实质审查的生效
2007-06-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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