氧化物半导体薄膜晶体管及其制造方法
实质审查的生效
摘要
本发明涉及氧化物半导体薄膜晶体管及其制造方法。在氧化物半导体薄膜晶体管中，氧化物半导体部包括沟道区域以及夹着沟道区域的第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域。由相对介电常数不小于8的金属化合物制成的绝缘体部位于栅极电极部与氧化物半导体部之间。第一化合物界面部包含氧化物半导体部的构成元素和绝缘体部的构成元素，并具有与第一源极/漏极电极部的界面以及与第一源极/漏极区域的另一界面。第二化合物界面部包含氧化物半导体部的构成元素和绝缘体部的构成元素，并具有与第二源极/漏极电极部的界面以及与第二源极/漏极区域的另一界面。
基本信息
专利标题 ：
氧化物半导体薄膜晶体管及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114530505A
申请号 ：
CN202111287388.4
公开（公告）日 ：
2022-05-24
申请日 ：
2021-11-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
竹知和重
申请人 ：
武汉天马微电子有限公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖新技术开发区流芳园横路8号
代理机构 ：
北京同达信恒知识产权代理有限公司
代理人 ：
黄志华
优先权 ：
CN202111287388.4
主分类号 ：
H01L29/786
IPC分类号 ：
H01L29/786 H01L21/336 H01L27/12
法律状态
2022-06-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/786
申请日 : 20211102
申请日 : 20211102
2022-05-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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