含氧化物半导体层的薄膜晶体管

授权

摘要

一种薄膜晶体管，是在基板上至少具有栅电极、栅绝缘膜、氧化物半导体层、源‑漏电极、和至少一层保护膜的薄膜晶体管，其中，构成所述氧化物半导体层的金属元素含有In、Ga、Zn、和Sn，所述氧化物半导体层的各金属元素对于全部金属元素的合计(In+Ga+Zn+Sn)的比例为，In：20～45原子％，Ga：5～20原子％，Zn：30～60原子％，和Sn：9～25原子％。

基本信息

专利标题：

含氧化物半导体层的薄膜晶体管

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN108780817A

申请号：

CN201780013390.8

公开（公告）日：

2018-11-09

申请日：

2017-02-02

授权号：

CN108780817B

授权日：

2022-06-14

发明人：

越智元隆西山功兵后藤裕史钉宫敏洋

申请人：

株式会社神户制钢所

申请人地址：

日本兵库县

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

吴克鹏

优先权：

CN201780013390.8

主分类号：

H01L29/786

IPC分类号：

H01L29/786 H01L21/336

法律状态

2022-06-14 ：

授权

2018-12-04 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : H01L 29/786
申请日 : 20170202

2018-11-09 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

文件下载

暂无PDF文件可下载