制作高张力薄膜及应变硅金属氧化物半导体晶体管的方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
一种制作高张力薄膜及应变硅金属氧化物半导体晶体管的方法。首先提供一半导体衬底，并于该半导体衬底上形成一栅极、至少一间隙壁以及一源极/漏极区域，接着进行n次沉积工艺，以形成n层高张力薄膜(hightensile stress film)覆盖于该栅极与该源极/漏极区域表面，而且每一该高张力薄膜皆进行一次热处理工艺，其中n大于或等于2。
基本信息
专利标题 ：
制作高张力薄膜及应变硅金属氧化物半导体晶体管的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1967784A
申请号 ：
CN200510120486.3
公开（公告）日 ：
2007-05-23
申请日 ：
2005-11-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈能国蔡腾群廖秀莲黄建中
申请人 ：
联华电子股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹科学工业园区
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200510120486.3
主分类号 ：
H01L21/31
IPC分类号 ：
H01L21/31 H01L21/336
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/31
在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
法律状态
2010-12-29 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
号牌文件类型代码 : 1603
号牌文件序号 : 101058385454
IPC(主分类) : H01L 21/31
专利申请号 : 2005101204863
公开日 : 20070523
号牌文件序号 : 101058385454
IPC(主分类) : H01L 21/31
专利申请号 : 2005101204863
公开日 : 20070523
2007-07-18 ：
实质审查的生效
2007-05-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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