金属氧化物半导体混成静态感应半导体闸流管
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
摘要
在ＭＯＳ混成Ｓ１闸流管中，以级联关系联在Ｓ１闸流管单元上的Ｓ１闸流管单元、ＭＯＳ晶体管和稳压元件被合并集成在单一芯片上。Ｓ１闸流管单元具有高杂质浓度第一导电类型的阴极区、高杂质浓度第二导电类型的栅极区和低杂质浓度第一导电型的沟道区。ＭＯＳ管具有与阴极区相同的漏极区，一在沟道区附近形成的第二导电型的阱或基极以及高杂质浓度第一导电型的源极区。在阱或基极上形成源极区。稳压元件含第二导电型的第一半导体区和第一导电型的第二半导体区，二者都具高杂质浓度。
基本信息
专利标题 ：
金属氧化物半导体混成静态感应半导体闸流管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1075030A
申请号 ：
CN92112889.4
公开（公告）日 ：
1993-08-04
申请日 ：
1992-11-09
授权号 ：
CN1044172C
授权日 ：
1999-07-14
发明人 ：
西泽润一铃木壮兵卫
申请人 ：
财团法人半导体研究振兴会
申请人地址 ：
日本宫城县仙台市
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
王岳
优先权 ：
CN92112889.4
主分类号 ：
H01L29/74
IPC分类号 ：
H01L29/74 H01L27/04
相关图片
法律状态
2009-01-07 ：
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
2002-06-12 ：
其他有关事项
1999-07-14 ：
授权
1995-02-22 ：
实质审查请求的生效
1993-08-04 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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