高压金属氧化物半导体元件
授权
摘要
本发明提供一种高压金属氧化物半导体元件结构，包括一衬底；一第一离子井，设于该衬底中；一第一场氧化层，包围一漏极区域；一第二场氧化层，包围一源极区域，该第一场氧化层与该第二场氧化层之间为该高压金属氧化物半导体元件的一沟道区域；一栅极氧化层，设于该沟道区域上；一栅极，设于该栅极氧化层上；一第三场氧化层，设于该半导体衬底上，包围该第一场氧化层以及该第二场氧化层，且该第三场氧化层与该第一场氧化层、该第二场氧化层之间是一元件隔离区域；以及一元件隔离掺杂区，设于该元件隔离区域内。
基本信息
专利标题 ：
高压金属氧化物半导体元件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1971879A
申请号 ：
CN200510126732.6
公开（公告）日 ：
2007-05-30
申请日 ：
2005-11-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈锦隆
申请人 ：
联华电子股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹科学工业园区
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200510126732.6
主分类号 ：
H01L21/8232
IPC分类号 ：
H01L21/8232 H01L21/76 H01L21/336 H01L27/04 H01L29/78
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
法律状态
2009-02-11 ：
授权
2007-07-25 ：
实质审查的生效
2007-05-30 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN100461372C.PDF
PDF下载
2、
CN1971879A.PDF
PDF下载
