半导体装置及高压P型金属氧化物半导体装置
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摘要
本发明涉及一种半导体装置及高压P型金属氧化物半导体装置，具体为具有静电放电防护功能的高压PMOS晶体管的半导体装置，包括PMOS晶体管、N型埋藏层以及P型基底。PMOS晶体管包括设置于高压P阱区中且掺杂P型杂质的第一源/漏极区，设置于高压N阱区中且掺杂P型杂质的第二源/漏极区，高压P阱区是与高压N阱区实体接触，与第一源/漏极区实体接触的场区是大体设置接近高压P阱区与高压N阱区的接面，且大体设置于栅极介电层下；具有高掺杂浓度的第一N型区是设置于高压P阱区中，并相邻于第一源/漏极区。具有高掺杂浓度的N型埋藏层是设置于高压P阱区与高压N阱区下方。P型基底是设置于N型埋藏层下方。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置及高压P型金属氧化物半导体装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1913174A
申请号 ：
CN200610007824.7
公开（公告）日 ：
2007-02-14
申请日 ：
2006-02-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李建兴钟于彰
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
代理机构 ：
北京林达刘知识产权代理事务所
代理人 ：
刘新宇
优先权 ：
CN200610007824.7
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L23/60
法律状态
2009-01-14 ：
授权
2007-04-11 ：
实质审查的生效
2007-02-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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