厚栅高压P型金属氧化物半导体管
专利权的终止
摘要
本实用新型公开一种兼容性好且能够降低工艺成本的厚栅高压P型金属氧化物半导体管；包括：P型衬底，在P型衬底上设有N型埋层，在N型埋层上设有N型外延层，在N型外延层上设有N型阱和P型漂移区，在N型阱上设有P型源和N型接触孔，在P型漂移区内设有P型漏，在P型源、N型接触孔、N型阱、N型埋层、P型漂移区及P型漏的上方设有氧化层，在P型源及N型接触孔上连接有金属引线，在P型漏上连接有金属引线，在N型阱、P型漂移区、N型外延层与氧化层之间设有场氧化层，该场氧化层自P型源延续至P型漏，在氧化层内设有多晶硅栅且该多晶硅栅位于场氧化层的上方，在多晶硅栅上连接有金属引线。
基本信息
专利标题 ：
厚栅高压P型金属氧化物半导体管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN200620165095.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2006-12-15
授权号 ：
CN200997402Y
授权日 ：
2007-12-26
发明人 ：
孙伟锋李海松李杰易扬波徐申夏晓娟时龙兴
申请人 ：
东南大学
申请人地址 ：
210096江苏省南京市四牌楼2号
代理机构 ：
南京经纬专利商标代理有限公司
代理人 ：
陆志斌
优先权 ：
CN200620165095.3
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L27/04
法律状态
2013-02-20 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101396122956
IPC(主分类) : H01L 29/78
专利号 : ZL2006201650953
申请日 : 20061215
授权公告日 : 20071226
终止日期 : 20111215
号牌文件序号 : 101396122956
IPC(主分类) : H01L 29/78
专利号 : ZL2006201650953
申请日 : 20061215
授权公告日 : 20071226
终止日期 : 20111215
2007-12-26 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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