沟槽高压P型金属氧化物半导体管

专利权的终止

摘要

本实用新型公开了一种沟槽高压P型金属氧化物半导体管，包括兼做衬底的P型漏区，在P型漏区上设有P型外延，在P型外延上设有N型阱，在N型阱上设有P型源区和N型接触孔，在N型阱及P型外延内设有沟槽，在沟槽内填充有二氧化硅，在沟槽内还设有多晶硅栅且多晶硅栅的位置高度与N型阱的高度相对应，在沟槽的周围设有N型区，在多晶硅栅与N型阱之间设有栅氧化层，在多晶硅栅及P型源区的上方覆有二氧化硅，在P型源区及N型接触孔上连接有铝引线。本发明的沟槽高压P型金属氧化物半导体管是一种纵向沟道垂直导电金属氧化物半导体型高压器件，它巧妙利用体内耗尽层分压的方法，改善了器件特性。该器件的优势在更大工作电压领域将得到更大的体现。

基本信息

专利标题：

沟槽高压P型金属氧化物半导体管

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN200720035523.5

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2007-03-30

授权号：

CN201038163Y

授权日：

2008-03-19

发明人：

孙伟锋刘侠戈喆易扬波陆生礼时龙兴

申请人：

东南大学

申请人地址：

210096江苏省南京市四牌楼2号

代理机构：

南京经纬专利商标代理有限公司

代理人：

陆志斌

优先权：

CN200720035523.5

主分类号：

H01L29/78

IPC分类号：

H01L29/78 H01L21/336