高压N型金属氧化物半导体管
专利权的终止
摘要
一种线性掺杂的高压N型金属氧化物半导体管，在N型衬底上设有P型阱和N型漂移区，在P型阱内设有P型接触孔和N型源，在N型漂移区内设有N型漏，在P型阱和N型漂移区的上方设有栅氧化层，在栅氧化层上方设有多晶硅栅且多晶硅栅位于P型阱与N型漂移区交界的上方，在栅氧化层及多晶硅栅的上方设有场氧化层，在P型接触孔和N型源上、多晶硅栅上、 N型漏上都接有铝引线，在场氧化层内设有的多晶硅场极板与多晶硅栅连接，N型漂移区由第一、第二、第三、第四区组成，沿N型源至N型漏的方向依次排列，掺杂浓度由大到小依次为第四区、第三区、第二区、第一区。
基本信息
专利标题 ：
高压N型金属氧化物半导体管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN200620077466.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2006-08-14
授权号 ：
CN200941387Y
授权日 ：
2007-08-29
发明人 ：
孙伟锋易扬波李海松陆生礼时龙兴
申请人 ：
东南大学
申请人地址 ：
210096江苏省南京市四牌楼2号
代理机构 ：
南京经纬专利商标代理有限公司
代理人 ：
陆志斌
优先权 ：
CN200620077466.2
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L27/04
法律状态
2012-10-10 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101335910197
IPC(主分类) : H01L 29/78
专利号 : ZL2006200774662
申请日 : 20060814
授权公告日 : 20070829
终止日期 : 20110814
号牌文件序号 : 101335910197
IPC(主分类) : H01L 29/78
专利号 : ZL2006200774662
申请日 : 20060814
授权公告日 : 20070829
终止日期 : 20110814
2007-08-29 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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