高压P型金属氧化物半导体管

专利权的终止

摘要

一种线性掺杂的高压P型金属氧化物半导体管，在P型衬底上设有N型阱和P型漂移区，在N型阱内设有N型接触孔和P型源，在P型漂移区内设有P型漏，在N型阱和P型漂移区的上方设有栅氧化层，在栅氧化层上方设有多晶硅栅且多晶硅栅位于N型阱与P型漂移区交界的上方，在栅氧化层及多晶硅栅的上方设有场氧化层，在N型接触孔和P型源上，多晶硅栅上，P型漏上都接有铝引线，在场氧化层内设有多晶硅场极板，该多晶硅场极板与多晶硅栅连接，P型漂移区由第一、第二、第三、第四区组成，该四根区沿P型源至P型漏的方向依次排列，上述第四区的掺杂浓度大于第三区，第三区的掺杂浓度大于第二区，第二区的掺杂浓度大于第一区。

基本信息

专利标题：

高压P型金属氧化物半导体管

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN200620077465.8

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2006-08-14

授权号：

CN2938408Y

授权日：

2007-08-22

发明人：

孙伟锋易扬波夏小娟徐申陆生礼时龙兴

申请人：

东南大学

申请人地址：

210096江苏省南京市四牌楼2号

代理机构：

南京经纬专利商标代理有限公司

代理人：

陆志斌

优先权：

CN200620077465.8

主分类号：

H01L29/78

IPC分类号：

H01L29/78 H01L27/04