高压金属氧化物半导体元件

授权

摘要

一种高压金属氧化物半导体元件，包括：一具有一第一导电型的半导体衬底；一具有一第二导电型的漂流离子井，设于该半导体衬底中；一第一绝缘区域，设于该漂流离子井内；一栅极，设于该半导体衬底上，并且该栅极与一部分的该第一绝缘区域重叠；一具有该第二导电型的漏极区域，设于该第一绝缘区旁与该栅极相反的一侧；一第二绝缘区域，设于该漂流离子井内，且该第二绝缘区域设于该漏极区域旁与该第一绝缘区域相反的一侧；以及一具有该第二导电型的第一虚设扩散区域，设于该漂流离子井内，且该虚设扩散区域设于该第二绝缘区域旁与该漏极区域相反的一侧。

基本信息

专利标题：

高压金属氧化物半导体元件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1881613A

申请号：

CN200510022960.9

公开（公告）日：

2006-12-20

申请日：

2005-12-19

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

高境鸿

申请人：

联华电子股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹科学工业园区

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陶凤波

优先权：

CN200510022960.9

主分类号：

H01L29/78

IPC分类号：

H01L29/78