金属氧化物半导体晶体管元件
发明专利申请公布后的驳回
摘要
一种金属氧化物半导体晶体管元件，包括一衬底、一栅极结构、一间隙壁、一源极/漏极区以及一阻障层。栅极结构配置于衬底上。栅极结构包括一栅极以及配置于栅极与衬底之间的一层栅介电层。间隙壁配置于栅极结构的侧壁上。源极/漏极区配置于间隙壁二侧的衬底中。阻障层环绕源极/漏极区周围，其中源极/漏极区与阻障层的材质相同，且源极/漏极区的掺杂浓度大于阻障层的掺杂浓度。
基本信息
专利标题 ：
金属氧化物半导体晶体管元件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1953208A
申请号 ：
CN200510118120.2
公开（公告）日 ：
2007-04-25
申请日 ：
2005-10-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
林焕顺蔡振华萧维沧孟宪樑施泓林
申请人 ：
联华电子股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹科学工业园区
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200510118120.2
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L21/336
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法律状态
2011-09-14 ：
发明专利申请公布后的驳回
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101183790007
IPC(主分类) : H01L 29/78
专利申请号 : 2005101181202
公开日 : 20070425
号牌文件序号 : 101183790007
IPC(主分类) : H01L 29/78
专利申请号 : 2005101181202
公开日 : 20070425
2007-06-13 ：
实质审查的生效
2007-04-25 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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