可阻挡逆电流的金属氧化物半导体晶体管
授权
摘要
本实用新型实施例提供一高压半导体元件，包含有一金属氧化物半导体晶体管以及一肖特基二极管。该金属氧化物半导体晶体管的一半导体基底为一第一类型。一第二类型的一深井形成于该半导体基底上。该第一类型的一基体形成于该深井上。该第二类型的一重掺杂源设于该基体上，且该重掺杂源与该基体电性上相短路。该肖特基二极管具有一金属层，作为该肖特基二极管的一阳极，形成于该深井上。该金属层与该深井形成一肖特基接面。
基本信息
专利标题 ：
可阻挡逆电流的金属氧化物半导体晶体管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921738440.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-10-16
授权号 ：
CN211555885U
授权日 ：
2020-09-22
发明人 ：
黄宗义许峻铭黄炯福
申请人 ：
通嘉科技（深圳）有限公司;通嘉科技股份有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市福田区沙头街道深南大道与泰然九路交界东南本元大厦10B
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
徐协成
优先权 ：
CN201921738440.1
主分类号 ：
H01L27/07
IPC分类号 ：
H01L27/07 H01L29/78 H01L29/872
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/06
在非重复结构中包括有多个单个组件的
H01L27/07
有源区共用的组件
法律状态
2020-09-22 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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