垂直功率金属氧化物半导体场效应晶体管
授权
摘要
本实用新型涉及一种垂直功率金属氧化物半导体场效应晶体管。该垂直功率金属氧化物半导体场效应晶体管包括至少一个第一单原胞和至少一个第二单原胞组成的单胞阵列，第一单原胞以及第二单原胞均包括：重掺杂衬底，外延层，第一阱区，源极区，栅氧化层，多晶硅层，绝缘层，源极金属层，以及漏极金属层，第二单原胞中还设置有第二导电类型的第二阱区，第二阱区设于外延层内且与栅氧化层贴合。该垂直功率金属氧化物半导体场效应晶体管能够在不影响开关速度等性能的条件下，降低电磁辐射以及电磁传导低。
基本信息
专利标题 ：
垂直功率金属氧化物半导体场效应晶体管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122776630.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-11-10
授权号 ：
CN216354228U
授权日 ：
2022-04-19
发明人 ：
徐吉程徐宁潘群华
申请人 ：
绍兴诺芯半导体科技有限公司
申请人地址 ：
浙江省绍兴市越城区皋埠街道银桥路326号3幢212-A室
代理机构 ：
杭州华进联浙知识产权代理有限公司
代理人 ：
安威威
优先权 ：
CN202122776630.6
主分类号 ：
H01L29/739
IPC分类号 ：
H01L29/739 H01L29/06 H01L21/336
法律状态
2022-04-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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