功率型分离器件金属氧化物半导体场效应晶体管
其他有关事项(避免重复授权放弃专利权)
摘要
功率型分离器件金属氧化物半导体场效应晶体管由带有阻障层的雪崩耐能单元和复合围在雪崩耐能单元上面的边界区域及填充在边界区域中部和上面并与雪崩耐能单元导通的金属材料接触窗口(5)构成，雪崩耐能单元下面复合有衬底，边界区域由隔离层(1－1)与氧化扩散层(22)之间设置的复合半导体材料层(2)组成，氧化扩散层外端下面与活化区(4)相邻接；活化区与N+通道外端对接；复合半导体材料层外端和氧化扩散层外端向内错，且在复合半导体材料层和氧化扩散层相错的外端加设包敷隔离层(1－2)。这样氧化扩散层和复合半导体材料层外端向内缩进并在他们外端加设包敷隔离层，就有效地防止氧化扩散层和复合半导体材料层外端外露放电，就能防止放电，从而提高器件的耐高压能力。
基本信息
专利标题 ：
功率型分离器件金属氧化物半导体场效应晶体管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN200720012446.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2007-06-01
授权号 ：
CN201038162Y
授权日 ：
2008-03-19
发明人 ：
吕新立杨春松
申请人 ：
大连华坤科技有限公司;大连宇宙电子有限公司
申请人地址 ：
116400辽宁省庄河市迎宾大街304号
代理机构 ：
大连智慧专利事务所
代理人 ：
周志舰
优先权 ：
CN200720012446.1
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L23/60
法律状态
2009-11-04 ：
其他有关事项(避免重复授权放弃专利权)
放弃生效日 : 20070601
2008-03-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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