横向双扩散金属氧化物半导体（LDMOS）器件
授权
摘要
本发明涉及完全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)上的使能高输入电压的横向双扩散金属氧化物半导体（LDMOS）器件。本公开涉及半导体结构，更特别地，涉及一种位于FDSOI结构上的LDMOS器件及其制造方法。横向双扩散半导体器件包括由绝缘体上半导体(SOI)技术的掩埋绝缘体材料构成的栅极电介质、由所述SOI技术的半导体材料构成的沟道区域、以及位于所述掩埋绝缘体前侧上的源极/漏极区域以使得栅极形成在所述掩埋绝缘体材料的背侧上。栅极端子也可以放置在混合部分处以用作背栅电压来控制所述器件的所述沟道和漂移区域。
基本信息
专利标题 ：
横向双扩散金属氧化物半导体（LDMOS）器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109817714A
申请号 ：
CN201810253240.0
公开（公告）日 ：
2019-05-28
申请日 ：
2018-03-26
授权号 ：
CN109817714B
授权日 ：
2022-05-17
发明人 ：
I·C·马约尔A·扎卡T·赫尔曼E·M·巴齐齐
申请人 ：
格芯公司
申请人地址 ：
开曼群岛大开曼岛
代理机构 ：
北京市中咨律师事务所
代理人 ：
李峥
优先权 ：
CN201810253240.0
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/06
法律状态
2022-05-17 ：
授权
2020-12-15 ：
专利申请权、专利权的转移
专利申请权的转移IPC(主分类) : H01L 29/78
登记生效日 : 20201202
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 格芯公司
变更后权利人 : 格芯美国公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 开曼群岛大开曼岛
变更后权利人 : 美国加利福尼亚州
登记生效日 : 20201202
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 格芯公司
变更后权利人 : 格芯美国公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 开曼群岛大开曼岛
变更后权利人 : 美国加利福尼亚州
2019-06-21 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/78
申请日 : 20180326
申请日 : 20180326
2019-05-28 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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