横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管

授权

摘要

本发明提供一种横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管包括：本体区，位于基板中，具有第一导电类型；飘移区，位于基板中，具有与第一导电类型相反的第二导电类型；源极区，位于本体区中，具有第二导电类型；漏极区，位于飘移区中，具有第二导电类型；隔离区，位于源极区与漏极区之间的飘移区中；栅极，位于本体区与飘移区之上；源极场板，电连接源极区；漏极场板，电连接漏极区；及第一栅极板，电连接栅极，其中第一栅极板对应设置于栅极的上方，且第一栅极板与栅极在俯视图中的形状大抵相同。本发明能够在不需增加额外金属绕线面积的情形下，降低栅极电阻，并使元件均匀导通，可缩短开关的关闭时间，减少切换耗损。

基本信息

专利标题：

横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN109841669A

申请号：

CN201711201454.5

公开（公告）日：

2019-06-04

申请日：

2017-11-27

授权号：

CN109841669B

授权日：

2022-04-19

发明人：

林文新胡钰豪林鑫成吴政璁

申请人：

世界先进积体电路股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹科学工业园区

代理机构：

北京三友知识产权代理有限公司

代理人：

贾磊

优先权：

CN201711201454.5

主分类号：

H01L29/40

IPC分类号：

H01L29/40 H01L29/78