金属氧化物半导体场效应管电源开关
视为撤回的专利申请
摘要
功率MOSFET1含有跨接在其栅极G和源极S间并与MOSFET热连接的闸流晶体管2。当MOSFET导通，负载3在正常状态则闸流晶体管截止。如负载3短路，当温度超过预定值，闸流晶体管导通，且使MOSFET截止，此时，连接到漏极D和源极S的电源内寄生布线电感7，8产生瞬变电压。串联电阻10和闸流晶体管与申接在漏极D和栅极g间的齐纳二极管11和整流二极管12保持漏一栅和漏一源电压为安全值以抑制瞬变电压。瞬变能量通过流经MOSFET的电流耗散掉。MOSFET的截止时刻取决于寄生电感7，8。
基本信息
专利标题 ：
金属氧化物半导体场效应管电源开关
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1037810A
申请号 ：
CN89103081.6
公开（公告）日 ：
1989-12-06
申请日 ：
1989-05-06
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
杰里米·约翰·格林伍德
申请人 ：
萨尔普莱克斯有限公司
申请人地址 ：
英国英格兰
代理机构 ：
中国专利代理有限公司
代理人 ：
何耀煌
优先权 ：
CN89103081.6
主分类号 ：
H03K17/08
IPC分类号 ：
H03K17/08 H03K17/687
法律状态
1992-02-26 ：
视为撤回的专利申请
1989-12-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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