全隔离横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法
实质审查的生效
摘要
本发明实施例提供一种全隔离横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法，属于芯片技术领域。该全隔离横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，包括半导体衬底、源极区、漏极区、栅极区、浅槽隔离区、P型体区以及位于所述半导体衬底上的N型阱区、P型阱区和N型漂移区，所述全隔离横向双扩散金属氧化物半导体场效应管还包括栅氧化介质层，其中，所述栅氧化介质层位于所述栅极区和所述N型漂移区之间，其中，所述漏极区包括漏极重掺杂区和漏极轻掺杂区，所述源极区包括源极重掺杂区和源极轻掺杂区。该LDMOSFET结构有可调长度的漏极轻掺杂区和源极轻掺杂区，并基于漏极轻掺杂区、源极轻掺杂区和栅氧化介质层实现漏极区和栅极区的全隔离，有效提高LDMOSFET开态击穿电压。
基本信息
专利标题 ：
全隔离横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114361243A
申请号 ：
CN202210275705.9
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2022-03-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
余山赵东艳王于波陈燕宁付振刘芳王凯吴波邓永峰刘倩倩郁文
申请人 ：
北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司
申请人地址 ：
北京市昌平区双营西路79号院中科云谷园11号楼一层
代理机构 ：
北京润平知识产权代理有限公司
代理人 ：
高英英
优先权 ：
CN202210275705.9
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/08 H01L29/423 H01L29/78 H01L21/285 H01L21/336
法律状态
2022-05-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/06
申请日 : 20220321
申请日 : 20220321
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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