一种横向双扩散金属氧化物半导体器件、电子装置
授权
摘要
本发明提供一种横向双扩散金属氧化物半导体器件、电子装置，半导体器件包括：衬底；以及源极区和漏极区，所述源极区和所述漏极区位于衬底中，其中，所述源极区和所述漏极区上的所述衬底的表面上分别形成有源极和漏极，所述源极和漏极之间形成有肖特基二极管。关闭状态的漂移延伸部由体区耗尽，该器件和传统的LDMOS一样工作。当器件开关时，肖特基二极管开关更快并且开启更早以改善高频性能。
基本信息
专利标题 ：
一种横向双扩散金属氧化物半导体器件、电子装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109994546A
申请号 ：
CN201711472866.2
公开（公告）日 ：
2019-07-09
申请日 ：
2017-12-29
授权号 ：
CN109994546B
授权日 ：
2022-05-27
发明人 ：
冯喆韵胡林辉姚尧蒲贤勇
申请人 ：
中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区张江路18号
代理机构 ：
北京市磐华律师事务所
代理人 ：
董巍
优先权 ：
CN201711472866.2
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78
法律状态
2022-05-27 ：
授权
2019-08-02 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/78
申请日 : 20171229
申请日 : 20171229
2019-07-09 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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