半导体器件和电子装置
实质审查的生效
摘要
本申请实施例提供一种半导体器件和电子装置，涉及微电子技术领域，可以提高半导体器件的拉伸性能，从而降低了半导体器件性能恶化或失效的概率。该半导体器件，包括：柔性衬底，柔性衬底表面设置有至少一条沟槽；每条沟槽内设置有至少一条半导体纳米线，半导体纳米线和柔性衬底之间无粘连，半导体纳米线沿着沟槽延伸；每条沟槽在其长度方向上包括依次排列的第一容置区域、第二容置区域和第三容置区域，第二容置区域的沟槽宽度大于第一容置区域的沟槽宽度以及第三容置区域的沟槽宽度，沟槽宽度为沟槽的两个侧壁之间的距离。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件和电子装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114497370A
申请号 ：
CN202011150219.1
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2020-10-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
余林蔚宋晓攀王彬胡瑞金刘宗光刘俊彦陈英杰刘至哲吴欣凯刘云飞
申请人 ：
荣耀终端有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市福田区香蜜湖街道东海社区红荔西路8089号深业中城6号楼A单元3401
代理机构 ：
北京汇思诚业知识产权代理有限公司
代理人 ：
焦志刚
优先权 ：
CN202011150219.1
主分类号 ：
H01L51/00
IPC分类号 ：
H01L51/00 H01L51/05
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 51/00
申请日 : 20201023
申请日 : 20201023
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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