混合半导体器件和电子装置
公开
摘要
本发明公开了一种混合半导体器件和包括该混合半导体器件的电子装置，该混合半导体器件包括：中介基板、安装在中介基板上的半导体封装、在封装基板上覆盖半导体芯片的至少一部分并暴露半导体芯片的上表面的模制构件、以及至少部分地围绕半导体封装设置在中介基板的上表面上的加强件。
基本信息
专利标题 ：
混合半导体器件和电子装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114597194A
申请号 ：
CN202111463722.7
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2021-12-03
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
权兴奎朴浚曙李稀裼
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
屈玉华
优先权 ：
CN202111463722.7
主分类号 ：
H01L23/538
IPC分类号 ：
H01L23/538 H01L25/16 H01L23/31 H01L23/12 H01L23/16 H01L23/367 H01L23/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/538
制作在绝缘衬底上或内的多个半导体芯片间的互连结构
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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