半导体器件的制造方法以及半导体器件和电子装置

发明专利申请公布后的驳回

摘要

本发明半导体器件的制造方法以及半导体器件和电子装置。本发明的目标是容易地制造半导体器件并提供成本降低的半导体器件。根据本发明，通过提供在除去剥离层之后衬底和基底绝缘层牢固固定的区域，可以防止提供在基底绝缘层上的薄膜集成电路散落。因此，可以容易地制造包含薄膜集成电路的半导体器件。此外，由于根据本发明使用除了硅之外的衬底制造半导体器件，可以在同一时间制造大量的半导体器件，并可以提供成本降低的半导体器件。

基本信息

专利标题：

半导体器件的制造方法以及半导体器件和电子装置

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101740584A

申请号：

CN200910266230.1

公开（公告）日：

2010-06-16

申请日：

2005-09-26

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

山崎舜平

申请人：

株式会社半导体能源研究所

申请人地址：

日本神奈川县厚木市

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

朱海煜

优先权：

CN200910266230.1

主分类号：

H01L27/12

IPC分类号：

H01L27/12 H01L29/786 H01L21/84 H01L21/78