一种半导体器件的制造方法和电子装置，制造方法包括：形成MEMS器件和第一牺牲层，MEMS器件包括固定结构，固定结构包括基底和环绕基底的围壁结构，MEMS器件还包括悬空设置于基底上的可动结构、以及位于可动结构和固定结构之间的第二牺牲层，第一牺牲层用于支撑可动结构与固定结构分离，且去除第二牺牲层的工艺对第二牺牲层的去除速率大于对第一牺牲层的去除速率；去除第二牺牲层；去除第二牺牲层后，去除第一牺牲层。本发明通过形成第一牺牲层，在去除第二牺牲层的过程中，第一牺牲层用于支撑可动结构与固定结构分离，从而降低所述可动结构与固定结构之间发生表面贴合或黏连的概率，从而提高工艺可靠性，相应有利于提高半导体器件的性能。