半导体器件的制造方法和电子装置
实质审查的生效
摘要

一种半导体器件的制造方法和电子装置,方法包括:提供MEMS器件,包括基底和环绕基底的围壁结构,基底上悬空设置有可动结构,可动结构和基底之间、以及可动结构和围壁结构之间形成有第一牺牲层;去除第一牺牲层;在可动结构和围壁结构之间,和/或可动结构和基底之间形成第二牺牲层;在可动结构上固定待安装元件;去除第二牺牲层。本发明先去除第一牺牲层,避免去除第一牺牲层的工艺对待安装元件的影响;此外,第二牺牲层能够对可动结构进行固定,使得待安装元件精确地固定于可动结构上,且去除第二牺牲层的工艺对待安装元件的影响小;综上,本发明提高待安装元件和可动结构的对准精度,同时,降低待安装元件受损的概率,从而提高半导体器件的性能。

基本信息
专利标题 :
半导体器件的制造方法和电子装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114380270A
申请号 :
CN202011119380.2
公开(公告)日 :
2022-04-22
申请日 :
2020-10-19
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
黄河向阳辉桂珞刘孟彬
申请人 :
中芯集成电路(宁波)有限公司
申请人地址 :
浙江省宁波市北仑区小港街道安居路335号3幢、4幢、5幢
代理机构 :
上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 :
高静
优先权 :
CN202011119380.2
主分类号 :
B81C1/00
IPC分类号 :
B81C1/00  B81B7/02  H01L27/146  
IPC结构图谱
B
B部——作业;运输
B81
微观结构技术
B81C
专门适用于制造或处理微观结构的装置或系统的方法或设备
B81C1/00
在基片内或其上制造或处理的装置或系统
法律状态
2022-05-10 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : B81C 1/00
申请日 : 20201019
2022-04-22 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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