半导体器件的制造方法以及半导体器件和电子装置
专利权的终止
摘要
本发明的目标是容易地制造半导体器件并提供成本降低的半导体器件。根据本发明，通过提供在除去剥离层之后衬底和基底绝缘层牢固固定的区域，可以防止提供在基底绝缘层上的薄膜集成电路散落。因此，可以容易地制造包含薄膜集成电路的半导体器件。此外，由于根据本发明使用除了硅之外的衬底制造半导体器件，可以在同一时间制造大量的半导体器件，并可以提供成本降低的半导体器件。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件的制造方法以及半导体器件和电子装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1776896A
申请号 ：
CN200510106893.9
公开（公告）日 ：
2006-05-24
申请日 ：
2005-09-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
山崎舜平
申请人 ：
株式会社半导体能源研究所
申请人地址 ：
日本神奈川县
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
张雪梅
优先权 ：
CN200510106893.9
主分类号 ：
H01L21/84
IPC分类号 ：
H01L21/84 H01L27/12 G02F1/13
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/84
衬底不是半导体的，例如绝缘体
法律状态
2019-09-17 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/84
申请日 : 20050926
授权公告日 : 20100224
终止日期 : 20180926
申请日 : 20050926
授权公告日 : 20100224
终止日期 : 20180926
2010-02-24 ：
授权
2007-11-28 ：
实质审查的生效
2006-05-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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