半导体器件制造方法及电子装置
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种半导体器件制造方法及电子装置，先在载体衬底上制作封孔膜层，并通过键合工艺将封孔膜层转移到器件衬底的第一部件上，以对第一部件的至少部分释放孔进行封孔，由此避免了直接在第一部件上形成封孔薄膜时导致第一部件锁死以及封孔材料或显影液进入半导体器件内部的风险。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件制造方法及电子装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114314500A
申请号 ：
CN202011069514.4
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2020-09-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
赵强桂珞韩凤芹石丹丹李萍王邦旭
申请人 ：
中芯集成电路（宁波）有限公司
申请人地址 ：
浙江省宁波市北仑区小港街道安居路335号3幢、4幢、5幢
代理机构 ：
上海思捷知识产权代理有限公司
代理人 ：
王宏婧
优先权 ：
CN202011069514.4
主分类号 ：
B81C1/00
IPC分类号 ：
B81C1/00 B81B7/02 H01L27/146
IPC结构图谱
B
B部——作业；运输
B81
微观结构技术
B81C
专门适用于制造或处理微观结构的装置或系统的方法或设备
B81C1/00
在基片内或其上制造或处理的装置或系统
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : B81C 1/00
申请日 : 20200930
申请日 : 20200930
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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