半导体器件及电子装置
授权
摘要
本公开提出一种半导体器件及电子装置，半导体器件包括衬底、两个字线、隔离层、孔槽、位线接触层以及位线导电层。衬底顶部形成有掺杂区，掺杂区的上表面开设有两个相间隔的凹槽，且凹槽贯穿掺杂区和部分衬底。两个字线分别设于两个凹槽的槽底。隔离层设于掺杂区的上表面并填充两个凹槽。孔槽贯穿于隔离层的位于两个凹槽之间的部分及掺杂区的位于两个凹槽之间的部分的上部，且孔槽的槽壁由隔离层的填充于两个凹槽内的部分界定。位线接触层设于孔槽内。位线导电层设于位线接触层上。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件及电子装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921735802.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-10-16
授权号 ：
CN210296377U
授权日 ：
2020-04-10
发明人 ：
钱仕兵
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
代理机构 ：
北京律智知识产权代理有限公司
代理人 ：
阚梓瑄
优先权 ：
CN201921735802.1
主分类号 ：
H01L27/108
IPC分类号 ：
H01L27/108 H01L21/8242
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/108
动态随机存取存储结构的
法律状态
2020-04-10 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN210296377U.PDF
PDF下载
