一种横向双扩散金属氧化物半导体器件及其制作方法
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摘要
本发明提供了一种横向双扩散金属氧化物半导体器件及其制作方法。横向双扩散金属氧化物半导体器件包括：半导体衬底；漂移区，形成于所述半导体衬底中；栅极结构，形成于所述漂移区上；源区和漏区，位于栅极结构两端的所述半导体衬底中；自对准硅化物阻挡层，所述自对准硅化物阻挡层中形成有开口，所述开口至少露出部分漏区；源区接触，位于源区上方且与源区电连接；漏区接触，所述漏区接触的底端部分内嵌于所述开口中并且与所述开口的侧壁直接接触，所述漏区接触与所述漏区电连接；金属硅化物层，形成于所述源区和所述源区接触之间以及所述漏区和所述漏区接触之间。通过本发明所述设置可以降低导通电阻。
基本信息
专利标题 ：
一种横向双扩散金属氧化物半导体器件及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112582459A
申请号 ：
CN201910925316.4
公开（公告）日 ：
2021-03-30
申请日 ：
2019-09-27
授权号 ：
CN112582459B
授权日 ：
2022-04-08
发明人 ：
金宏峰陈淑娴黄宇曹瑞彬金华俊
申请人 ：
无锡华润上华科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号
代理机构 ：
北京市磐华律师事务所
代理人 ：
冯永贞
优先权 ：
CN201910925316.4
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L21/336 H01L29/78
法律状态
2022-04-08 ：
授权
2021-04-16 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/06
申请日 : 20190927
申请日 : 20190927
2021-03-30 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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