横向扩散金属氧化物半导体器件结构
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种横向扩散金属氧化物半导体器件结构，该横向扩散金属氧化物半导体为N型，包含：P型深阱；有源区，在宽度方向上，有源区位于P型深阱覆盖的范围内；场极板层，在宽度方向上，场极板层位于P型深阱覆盖的范围内，有源区位于场极板层覆盖的范围内。据此，能够使得N型深阱与P型深阱的结击穿电压增加。
基本信息
专利标题 ：
横向扩散金属氧化物半导体器件结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114497224A
申请号 ：
CN202210127080.1
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2022-02-11
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
段文婷钱文生刘冬华令海阳
申请人 ：
上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区祖冲之路1399号
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
顾浩
优先权 ：
CN202210127080.1
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/06 H01L29/40
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/78
申请日 : 20220211
申请日 : 20220211
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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